S29GL064N90TFI023
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录SST39SF040-55-4C-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。SST39SF020A-70-4I-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST39VF020-70-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-I
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-I 封装。SST39VF1601C-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST25PF040C-40I/MF
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括单件重量 0.003527 oz，采用 TDFN-S-8 封装。S29GL128S10DHIV10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL256P90TFCR20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。AT45DB041E-MHN-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。S29GL064N90TFI033
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39SF010A-55-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。S29GL512S11TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。SST39VF800A-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。W25Q40EWUXIE TR
Winbond · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 USON-8 封装。AT25XE041B-MAHN-T
Adesto Technologies
NOR Flash X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, T&RS29GL064N11TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。AT25DF021A-MAHNHR-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。SST39VF010-70-4I-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP 封装。S29GL128P11TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。SST39VF010-70-4I-WHE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。