SST39SF020A-55-4I-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL064S70FHI010
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。AT45DB041E-MHN2B-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。SST39VF3201B-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39LF400A-55-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39LF020-55-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。S25FL256SDPMFIG10
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。LE25U40CQH-AH
ON Semiconductor · 封装：WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WDFN-8 封装。IS25WQ020-JBLE
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-Wide-8 封装。SST26WF080B-104I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 SQI、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。SST39SF040-55-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST39SF020A-55-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST39VF010-70-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。SST39SF040-55-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。SST25PF020B-80-4C-Q3AE-T
Microchip Technology · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。SST39LF401C-55-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF402C-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST25VF040B-50-4C-SAF-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST39VF200A-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST25VF080B-50-4C-QAF
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。