SST39SF020A-70-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST25VF040B-50-4I-S2AE-T
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIJ-8 封装。SST25VF512A-33-4I-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST39VF800A-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF400A-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST25VF512A-33-4I-SAE-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST39VF3201B-70-4I-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S29GL064S70TFI020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FS064SDSNFI030
Cypress Semiconductor · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 LGA-8 封装。SST39VF1601-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。AT25DF512C-XMHN-T
Adesto Technologies
NOR Flash 512K, 1.65V, 85Mhz Serial FlashSST39VF040-70-4C-WHE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST39SF040-70-4I-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。S29AL008J55BFIR10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-48 封装。SST39VF802C-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST25PF020B-80-4C-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。W25Q64JVTCIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。SST39LF020-55-4C-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。SST25VF020-20-4C-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST25VF512A-33-4I-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。