MT49H32M18SJ-18:B
Micron
主要参数包括商品名称 RLDRAM。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B
Micron
DRAM LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDPMT51J256M32HF-70:B
Micron
DRAM GDDR5 8G 256MX32 FBGAMT53E128M32D2DS-053 AAT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。IS43LD16128B-25BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-134 封装。MT40A1G8SA-062E:J
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT53D768M64D8SQ-053 WT:E
Micron
DRAM LPDDR4 48G 768MX64 FBGA 8DPAS4C256M16D3LB-12BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16256A-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。MT53E768M32D4DT-046 AIT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53E384M32D2DS-046 AAT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT53D512M16D1DS-046 AAT:D
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16。MT46V16M16CY-5B XIT:M TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT40A512M16LY-075:E TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT44K32M36RB-093E:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。IS43TR82560BL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43TR16128C-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS42S32800J-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS43TR16640BL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。