S29GL128P90FFCR20
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录SST39VF3202-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。IS25LQ020B-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 WSON-8 封装。AT45DB081E-SSHNHA-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 Narrow 封装。AT25DF081A-MH-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。S29GL128P11FFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。SST39VF400A-70-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL064S80DHIV10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。SST39VF1601C-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-48 封装。SST39VF1602C-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF802C-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST26VF016BT-104I/MF
Microchip Technology · 封装：Details
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.002603 oz，采用 Details 封装。SST25VF010A-33-4I-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。S25FL128SDPMFIG10
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。SST25VF080B-50-4C-QAF-T
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TDFN-S-8 封装。SST39VF1602-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF800A-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF3202B-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。IS25LP128-JMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括湿敏性 是，采用 SOIC-16 封装。AT25PE40-SSHN-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 SOIC-8 Narrow 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。