SST39SF040-70-4I-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST39SF040-55-4I-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。W25Q32JVDAIQ
Winbond · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 PDIP-8 封装。SST25VF512A-33-4I-SAE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL512SDPMFI011
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。AT25DF011-MAHN-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 UDFN8 封装。S25FS128SAGMFI101
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit、单件重量 0.019048 oz。AT25DF081A-SH-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q80DVZPIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S29GL256S90TFI010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL256S90TFI020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。AT45DB161E-SSHD-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST25VF020B-80-4I-SAE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST25VF512A-33-4C-SAE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q128JVPIM
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。SST25VF010A-33-4C-SAE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S29JL032J60TFI020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL256S90DHI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。SST39VF040-70-4I-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。IS25LQ020B-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002681 oz，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。