AT45DB041E-SHNHA-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8 Wide
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 Wide 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL512S11TFIV20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。SST49LF008A-33-4C-EIE
Microchip Technology · 封装：TSOP-40
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 TSOP-40 封装。SST25VF040B-50-4I-QAF-T
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TDFN-S-8 封装。SST39VF040-70-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST39SF010A-55-4I-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。SST25WF040B-40I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S29JL064J60TFI000
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。W25Q80EWSSIG
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q80EWZPIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。W25Q64JVZPIM
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。W25X20CLSVIG
Winbond · 封装：VSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 VSOP-8 封装。S29GL032N90BFI030
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-48 封装。AT25DF011-SSHN-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S29AL016J55TFIR10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39SF040-70-4I-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。S29GL064N90BFI030
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-48 封装。SST39VF020-70-4I-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。W25X40CLZPIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 WSON-8 封装。S25FL256SAGMFI011
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。