AT45DB161E-MHD-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25X40CLSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 SOIC-8 封装。S29GL01GS11TFI010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FL128LAGNFV010
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S29JL032J70TFI220
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF010-70-4C-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。S29JL032J70TFI010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39SF020A-70-4C-PHE
Microchip Technology · 封装：PDIP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PDIP-32 封装。SST25VF040B-50-4I-SAF
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q128JVFIM
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。LE25U20AMB-AH
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 30 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL128SAGBHIA10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。IS25LQ010B-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。S29GL128S10TFIV13
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。SST39VF1681-70-4I-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39LF800A-55-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。AT25DL161-SSHN-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25X10CLUXIG TR
Winbond · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 USON-8 封装。SST39VF010-70-4I-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。SST39SF020A-70-4I-NHE
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。