W9825G6KH-6I TR
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录W9864G2JH-6 TR
Winbond · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。AS4C256M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是。IS43TR16128CL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128C-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。AS4C32M16D2A-25BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS42S16160J-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 BGA-54 封装。IS42S32160F-75EBLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS43TR16640BL-125JBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。MT53E768M32D4DT-046 AAT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT40A256M16LY-062E AIT:F
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT41K256M16TW-093:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS46TR16256AL-125KBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。MT53D512M64D4HR-053 WT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 2GX16 FBGA QDPMT49H32M18SJ-25E:B
Micron
主要参数包括商品名称 RLDRAM。MT61K512M32KPA-14:B
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 FBGA-180 封装。MT40A1G8SA-075:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT53D512M16D1DS-046 WT:D
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16。AS4C64M8SC-7TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。