AT25DN512C-XMHF-B
Adesto Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT25DF256-SSHN-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。MT25QL256ABA8E12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。SST49LF080A-33-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 PLCC-32 封装。MT28EW256ABA1LPC-0SIT TR
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 LBGA-64 封装。S25FS064SAGNFI030
Cypress Semiconductor · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 LGA-8 封装。AT25DN256-XMHF-B
Adesto Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TSSOP-8 封装。AT45DB041E-SSHNHT-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 DataFlash。AT25DF041B-SSHNHR-T
Adesto Technologies
NOR Flash 8-SOIC-N, HIGH TEMP, 1.65V, T&RW25Q80DVZPIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。W25Q40EWSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL256SAGNFI013
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。MT28EW128ABA1LPC-0SIT TR
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 LBGA-64 封装。SST25VF020B-80-4C-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST39VF3201C-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。MT25QU128ABA8E54-0SIT TR
Micron · 封装：XFWLBGA-15
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 XFWLBGA-15 封装。MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 LBGA-64 封装。SST39VF6402B-70-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST38VF6404-90-5I-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST26VF064BT-104I/SO
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。