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SST39VF200A-70-4C-EKE

Microchip Technology · 封装：TSOP-48

主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。
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AT45DB041E-SHN2B-T

Adesto Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。
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W25Q64JVZEIM

Winbond · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。
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SST26WF016BA-104I/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
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SST39SF010A-55-4I-WHE-T

Microchip Technology · 封装：TSOP-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。
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AT25XE021A-XMHN-B

Adesto Technologies · 封装：TSSOP-8

采用 TSSOP-8 封装。
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AT45DB021E-SHN-B

Adesto Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。
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SST25VF040B-50-4I-QAE

Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TDFN-S-8 封装。
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SST25VF040B-50-4C-QAF

Microchip Technology · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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LE25U81AMCTWG

ON Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。
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LE25S40MB-AH

ON Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous。
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SST39LF010-55-4C-WHE

Microchip Technology · 封装：TSOP-32

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。
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SST25WF080B-40I/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。
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SST25VF020-20-4I-QAE

Microchip Technology · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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SST25VF040B-50-4C-S2AF-T

Microchip Technology · 封装：SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIJ-8 封装。
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LE25U40CQE-AH

ON Semiconductor · 封装：VDFN-5x6-8

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 VDFN-5x6-8 封装。
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SST25LF020A-33-4I-QAE

Microchip Technology · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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