SST25VF080B-50-4I-QAF-T
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TDFN-S-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25Q128JWPIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。S25FL127SABBHIC00
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。SST39VF3201B-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S29GL128S10DHI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S70FL01GSDPMFV011
Cypress Semiconductor · 封装：SO-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SO-16 封装。S70FS01GSAGBHI210
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。S29GL01GS12TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL512S12TFIV20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL512S11TFI020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL512S12DHIV10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。S25FS256SAGMFV001
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL256SAGMFVR01
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。S25FL256SDPMFIG01
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SST39VF6402B-70-4C-B1KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S29GL256S11DHIV10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S10DHI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S11TFIV20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL256S10DHIV20
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S25FL256SAGMFV011
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。