AS4C512M16D3L-12BINTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S16320D-7BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42S16320F-7BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。IS42S16320F-6BL
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。IS42VM16200D-75BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS42S32400F-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43TR16256AL-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS45S16160J-7BLA2
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz，采用 BGA-54 封装。IS46DR16320C-3DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS45S16320F-6TLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS46DR16160B-3DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43TR16640B-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是、单件重量 0.008078 oz，采用 BGA-96 封装。MT44K32M36RB-107E IT:A TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 BGA-168 封装。MT53E2G32D8QD-046 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。MT40A256M16LY-062E AAT:F TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。S70KL1281DABHI023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT41K128M16JT-125 AUT:K TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT53E128M16D1DS-053 AAT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W9751G8KB-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 64 M x 8，采用 WBGA-60 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。