SST39VF1681-70-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST39VF1602-70-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。AT25DF041B-MAHN-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是。AT25XE021A-MAHN-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是。MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。SST25PF020B-80-4C-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。S25FS256SDSNFI000
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。AT45DB161E-SSHD2B-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q128JVEIM TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。SST26VF016-80-5I-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。AT45DB021E-MHN-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。AT45DB081E-SSHNHC-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SST39VF1601-70-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。MT28EW128ABA1HPC-0SIT TR
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 LBGA-64 封装。SST39SF040-55-4I-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。W25Q64JVZEIQ TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。AT25XE512C-MAHN-T
Adesto Technologies
NOR Flash X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V, T&RS25FS128SAGBHI203
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR
Micron · 封装：VFBGA-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 VFBGA-56 封装。S29WS256P0SBFW000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 FBGA-84 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。