AT45DB021E-MHN2B-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT25QU256ABA8E55-0SIT
Micron · 封装：XFWLBGA-23
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 XFWLBGA-23 封装。SST39VF1602-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。W25Q80DVSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。SST39VF1601-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S70GL02GS11FHI020
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。SST25VF010A-33-4I-SAE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。AT25XE011-SSHN-T
Adesto Technologies
NOR Flash X-Energy, 8-SOIC-N, IND TEMP, 1.65V, T&RMT25QL128ABA8E12-0SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。IS25LQ032B-JBLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-Wide-8 封装。SST25VF020-20-4I-SAE-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。AT25DF041B-MHN-T
Adesto Technologies
NOR Flash 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 1.65V, T&RAT45DB321E-SHFHA-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8 Wide
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 Wide 封装。SST39VF6401B-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL256S90TFI023
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL256P10FFI022
Cypress / Spansion · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。SST25VF020-20-4C-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。S29WS256P0LBFW000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 FBGA-84 封装。MT25QL128ABA8E12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。SST38VF6401-90-5C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。