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存储器

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SST26VF016B-104I/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储器类型 NOR、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

W25Q64FWSSIG

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

W25Q64JVZEIQ

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

AT45DB041E-SSHN2B-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

W25Q64JVZPIQ

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

SST25VF080B-50-4I-S2AE

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIJ-8 封装。

W25Q64JVSSIM TR

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

W25Q64JVSSIQ TR

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

W25Q64JVSSIQ

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

SST25VF040B-50-4I-SAE

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

AT25DF021A-SSHN-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

W25Q32JVSSIQ

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

W25Q32JVSSIQ TR

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

S29GL128P11FFI022

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

SST25VF020B-80-4I-SAE-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

AT45DB321E-MWHF-T

Adesto Technologies · 封装:VDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 VDFN-8 封装。

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