MT51K128M32HF-60 N:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - GDDR5、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位。MT53B256M64D2PX-062 XT:C
Micron
DRAM LPDDR4 16G 256MX64 FBGA DDPMT41K512M16VRN-107 IT:P TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 GB、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位。MT51K128M32HF-60 N:B
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - GDDR5、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。MT53E384M32D2DS-053 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。W968D6DAGX7I TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT53E128M32D2DS-046 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。S27KS0641DPBHV023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、商品名称 HyperRAM。W631GG6MB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT51K256M32HF-60 N:B TR
Micron
DRAM GDDR5 8G 256MX32 FBGAMT47H64M8SH-25E:H TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT41K256M8DA-107:K TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT41K128M16JT-107 AAT:K
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。W958D6DBCX7I
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。S70KL1281DABHI020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。W63CH6MBVABE
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16、最小工作温度 - 25 C。W9425G6KH-5 TR
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。W9412G6KH-5 TR
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。W634GG6MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。