AS4C128M16D2A-25BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43DR16320E-25DBL
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。IS42S16100H-7BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。AS4C128M16D3LB-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS43LR16800G-6BLI
ISSI · 封装：166 MHz
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是，采用 166 MHz 封装。IS41LV16100D-50TLI
ISSI · 封装：TSOP-50-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16，采用 TSOP-50-44 封装。IS43TR16128C-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是、单件重量 0.008078 oz，采用 BGA-96 封装。IS42S16100H-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。IS43TR16128CL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是、单件重量 0.008078 oz，采用 BGA-96 封装。IS43DR16640C-3DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。IS66WVH16M8ALL-166B1LI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 HyperRAM、存储组织结构 16 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。IS46TR16128C-125KBLA1
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR82560C-15HBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。AS4C8M32S-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。MT40A1G16KNR-075:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。IS43TR82560BL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。AS4C32M16D1A-5TAN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS42SM16400M-75BLI
ISSI · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C8M16D1A-5TAN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS43TR16640BL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。