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ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor · 封装:VSOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 30 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8,采用 VSOIC-8 封装。ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。Cypress Semiconductor · 封装:BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 BGA-64 封装。ON Semiconductor · 封装:WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WLCSP-8 封装。ON Semiconductor
NOR Flash SPI 2M BIT SERIAL FLASH MMicrochip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 30 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor · 封装:VSOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 VSOIC-8 封装。Adesto Technologies
NOR Flash 1Mb, 1.65V, 85Mhz Serial FlashCypress Semiconductor · 封装:FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous,采用 FBGA-24 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Micron · 封装:LBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 LBGA-64 封装。Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TSOP-56 封装。Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 BGA-24 封装。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR,采用 SOIC-16 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 BGA-24 封装。Cypress Semiconductor · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:VFRBGA-56
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous,采用 VFRBGA-56 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。