SST25WF040BT-40I/NP
Microchip Technology · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST25WF020AT-40I/NP
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。SST26WF040BT-104I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 SQI，采用 SOIC-8 封装。IS25LP128-JLLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.004162 oz，采用 WSON-8 封装。IS25LP128-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002610 oz，采用 WSON-8 封装。MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 LBGA-64 封装。S70GL02GS12FHIV20
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。SST25VF010A-33-4C-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST26WF080BT-104I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 SQI，采用 SOIC-8 封装。MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S70FL01GSAGMFI010
Cypress Semiconductor · 封装：SO-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SO-16 封装。MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL256P90TFCR10
Cypress / Spansion · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.9 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL01GS10TFI010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL064N90TFI030
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL064N90TFI040
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL032N90FFIS20
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。LE25S20FD-AH
ON Semiconductor · 封装：VSOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 VSOIC-8 封装。S29GL032N90TFI040
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。