IS42S16160J-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S16160J-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS42S81600F-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS46TR16256B-107MBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS46TR16128BL-125KBLA2
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43R86400D-5BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS42S32200L-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43TR16128CL-15HBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640B-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR82560C-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT53B4DCNK-DC TR
Micron · 封装：POP-366
主要参数包括存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64，采用 POP-366 封装。MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT61M256M32JE-10 AAT:A
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.2875 V、电源电压（最小值） 1.2125 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-180 封装。MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。IS45S16320D-7CTLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT40A512M16LY-062E AAT:E TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT53D512M16D1DS-046 AIT:D
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16。W957D6HBCX7I
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。