S29GL032N11DFIV22
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S25FL127SABMFV100
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL128SAGBHV300
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FS256SDSBHV200
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FS128SAGMFI103
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit、单件重量 0.019048 oz。S25FL128SDPBHVC00
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S26KL256SDABHB020
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。S29GL064S90TFVV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL032N90FFI010
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S25FL256SAGMFB010
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SST26VF064BA-104I/MF
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括存储器类型 NOR、单件重量 0.002603 oz，采用 TDFN-S-8 封装。MT25QU128ABA8E12-0SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。S25FL127SABBHID00
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。AT25DF321A-MH-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。S25FL127SABNFI100
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。AT45DB161E-MHD-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。SST39VF1681-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。LE25W81QES00-AH-1
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。AT45DB161E-SSHFHA-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST26VF032BT-104V/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous，采用 SOIJ-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。