S25FL128SAGMFV001
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25Q256JWPIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。IS25WP016D-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、存储器类型 NOR，采用 SOIC-8 封装。IS25LP080D-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。IS25WP064A-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST26VF064B-104V/SO
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括存储器类型 NOR、单件重量 0.015450 oz，采用 SOIC-16 封装。W25Q16JLSSIG
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25WP256D-RHLE
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。IS25LP080D-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP016D-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。IS25LP016D-JBLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q16JVZPIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S25FL064P0XMFA000
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL064LABMFI011
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S29GL01GT10TFI020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL02GS12TFSR20
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。S29GL01GT11TFB020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S70FS01GSAGMFV011
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.016926 oz。S70FL01GSDPMFI011
Cypress Semiconductor · 封装：SO-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SO-16 封装。S29GL01GS11TFV010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。