W972GG6KB-18
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 WBGA-84 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W94AD6KBHX6I
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。GS4576C18GM-18
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。IS42S16320F-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。IS42S16320D-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43LR32160C-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-90 封装。IS42S16320D-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43TR16256BL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS43DR16640C-3DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS42S32800J-75EBL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS45S16400J-7BLA1
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42S32160F-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS46DR16320E-25DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。MT53D1024M32D4DT-046 WT:D TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。IS43TR81280B-15GBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。MT44K16M36RB-093E IT:B TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 BGA-168 封装。IS43TR16640B-107MBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR
Micron · 封装：FBGA-256
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64、最小工作温度 - 30 C，采用 FBGA-256 封装。AS4C32M16D2A-25BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS42SM16320E-6BLI
ISSI · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。