SST26VF064B-104V/MF
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.002603 oz，采用 TDFN-S-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS25LP080D-JBLE
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-Wide-8 封装。W25Q16JVSNIM
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q16JVSSIM
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL064LABMFV013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL064LABMFM010
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP032D-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002610 oz，采用 WSON-8 封装。S29GL01GT10TFI010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FL064LABNFI040
Cypress Semiconductor · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 USON-8 封装。IS25WP064A-JBLE
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-Wide-8 封装。IS25LP032D-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002681 oz，采用 SOIC-8 封装。S25FL256SAGBHIB00
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL128SDSNFI000
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S29GL064S80TFV030
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL512T11TFV020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。SST26WF064C-104I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 SOIJ-8 封装。S25FL128LAGBHI020
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。SST39VF401C-70-4I-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S29GL128P90FFIR22
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。S25FL256LAGMFI000
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SPI, SDI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。