IS42S16800F-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43TR16512A-15HBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。AS4C32M8SA-6TINTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。IS43TR16256A-107MBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C32M16D1A-5TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS42S32160F-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。MT53D4G16D8AL-062 WT:E
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 4 G x 16。MT40A2G8FSE-093E:A
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括商品名称 TwinDie，采用 FBGA-78 封装。MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。MT53D512M32D2DS-046 AUT:D
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPEDF8132A3PK-GD-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C，采用 FBGA-216 封装。IS43TR82560B-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。W634GU6MB-11 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG6NB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT53E128M16D1DS-053 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W631GG6MB-11 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W972GG8KB-25
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W634GG6MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。