S70GL02GS12FHIV10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S25FL256LAGMFI003
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.017266 oz，采用 WSON-8 封装。AT25SF081-MAHF-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。S26KS512SDPBHI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 FBGA-24 封装。MT25QU512ABB8ESF-0SIT TR
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-16 封装。S29GL512T10TFI020
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。AT25SF641-SUB-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S25FL128LAGNFI010
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。IS25LP256D-JMLE
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。MT25QL512ABB8E12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-16 封装。IS25WP256D-JLLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。IS25LP032D-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、存储器类型 NOR，采用 SOIC-8 封装。IS25LP032D-JBLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、存储器类型 NOR，采用 SOIC-Wide-8 封装。IS25LP016D-JBLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP016D-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP016D-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP080D-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。S25FL512SAGBHIA10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。