MT53B256M32D1NP-053 WT:C
Micron
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT40A512M8RH-083E AAT:B
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。IS46TR16640B-15GBLA1
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32，采用 VFBGA-200 封装。MT44K32M18RB-107E:B
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。IS43TR16512A-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR
ISSI · 封装：FBGA-24
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM，采用 FBGA-24 封装。W97AH2KBQX2I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。AS4C256M16D3LB-12BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16256B-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS42VM16160K-75BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。AS4C2M32S-6BINTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TFBGA-90 封装。AS4C32M16D1-5BINTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-60 封装。IS43TR16128BL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS43LR16800G-6BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。IS42S32800J-7TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。AS4C8M16SA-7BCNTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。IS43DR16640C-25DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS43TR16640B-125JBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43R16800E-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。