IS25LP512M-JLLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS25LP032D-JNLA3
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, SPI, QPI、存储器类型 NOR，采用 SOIC-8 封装。AT25PE20-SSHN-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8 Wide
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 SOIC-8 Wide 封装。MT25QU01GBBB8ESF-0AAT
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-16 封装。IS25LP128F-JBLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL032P0XNFA010
Cypress Semiconductor · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。IS25LP016D-JULE-TR
ISSI · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。MT25QL02GCBB8E12-0AAT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT25QL01GBBB8E12-0AAT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。IS25LP080D-JULE-TR
ISSI · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。MT25QU01GBBB8E12-0AAT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
Micron · 封装：WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WDFN-8 封装。MT25QU01GBBB8E12-0SIT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT28EW01GABA1LPC-0SIT
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.9 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8, 64 M x 16，采用 LBGA-64 封装。S26KL128SDABHN030
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。S25FL128SAGBHI203
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FS512SAGMFI013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S29GL01GT10FHI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S25FL064LABMFI013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL512SAGBHVA10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。