AT25PE40-MHN-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 UDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S25FL064LABMFA011
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。AT25PE20-MHN-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 UDFN-8 封装。IS29GL256-70SLET-TR
ISSI · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 32 M x 8, 16 M x 16，采用 TSOP-56 封装。IS29GL256-70DLEB-TR
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-64 封装。IS25WP256D-RMLE
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。IS29GL128-70SLEB-TR
ISSI · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16，采用 TSOP-56 封装。IS29GL256-70DLET-TR
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-64 封装。S25FL512SAGMFBG10
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。S25FL064LABMFI003
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S29AL016J70BFA013
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-48 封装。IS29GL256-70SLEB-TR
ISSI · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 32 M x 8, 16 M x 16，采用 TSOP-56 封装。IS25LP128F-JLLE-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。AT25PE80-SHN-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 SOIC-8 封装。S25FL512SAGMFAG10
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。IS29GL128-70DLET
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16，采用 BGA-64 封装。S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S25FL128LAGMFI003
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。IS25LP080D-JNLA3-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。MT28EW128ABA1LPC-0SIT
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16，采用 LBGA-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。