IS25LP128F-RHLE-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S79FS01GSFABHB210
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 1 Gbit、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。S70FL01GSDSMFV010
Cypress Semiconductor · 封装：SO-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SO-16 封装。MT25QL128ABA8E12-0SIT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT28EW512ABA1LPC-0AAT
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8, 32 M x 16，采用 LBGA-64 封装。S25FS512SFABHB210
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8，采用 BGA-24 封装。MT25QU512ABB8E56-0SIT
Micron · 封装：XFWLBGA-27
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 XFWLBGA-27 封装。S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S25FL032P0XMFB013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 SOIC-Wide-8 封装。S25FL256SAGBHI203
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。IS29GL128-70DLEB
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16，采用 BGA-64 封装。SST26WF064C-104I/TD
Microchip Technology · 封装：TBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 TBGA-24 封装。S25FL128SAGNFV000
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S29AL016J70TFN013
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。SST26VF064B-104V/MN
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是，采用 TDFN-8 封装。S29AL008J70BFI023
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-48 封装。SST26WF064CT-104I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 SOIJ-8 封装。S25FS064SAGNFI033
Cypress Semiconductor · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 LGA-8 封装。AT25XV041B-MAHV-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 4.4 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。AT25XV021A-MHV-T
Adesto Technologies
主要参数包括单件重量 0.000300 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。