W632GU6MB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录AS4C64M16D3L-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C64M16D2-25BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。GS4576C36GL-18I
GSI Technology · 封装：uBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 36 位，采用 uBGA-144 封装。AS4C64M16D2-25BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。GS4288C18GL-25I
GSI Technology · 封装：uBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 18 位，采用 uBGA-144 封装。MT40A512M8RH-083E IT:B TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C8M32S-7BCNTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TFBGA-90 封装。GS4576C18GL-25I
GSI Technology · 封装：uBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 18 位，采用 uBGA-144 封装。MT40A512M8RH-075E AIT:B
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。W632GG6MB-15
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。GS4288C18GL-24I
GSI Technology · 封装：uBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 18 位，采用 uBGA-144 封装。MT40A512M8RH-083E AIT:B
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。MT40A1G4RH-075E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT47H64M8SH-25E AIT:H
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT40A512M8RH-075E AUT:B
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。MT47H64M8SH-25E AAT:H
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT46V32M16CY-5B AAT:J TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT40A512M8RH-083E AUT:B
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。MT40A2G4WE-075E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。