AT25PE80-MHN-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 UDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS25LP512M-RMLE
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。SST25WF040B-40E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST25WF080B-40E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP512M-JMLE
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。SST39LF401C-55-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。IS25LP016D-JLLE-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。ATXP032-CCUE-T
Adesto Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。AT25SF128A-SHB-T
Adesto Technologies · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8，采用 SOP-8 封装。IS25LP01G-RILE
ISSI · 封装：LFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LFBGA-24 封装。IS25WP512M-RMLE
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。IS25WP512M-JLLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。IS25WP080D-JULE-TR
ISSI · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、接口类型 SPI、存储器类型 Flash，采用 USON-8 封装。MT25QL256ABA8E12-0AUT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。W25Q128JWFIQ
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。W25Q128JWSIQ
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。AT25QF128A-SHB-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8，采用 SOIC-8 封装。AT45DQ321-SHF-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S99FL164KMM11
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。MT28EW01GABA1HJS-0SIT
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.9 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8, 64 M x 16，采用 TSOP-56 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。