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存储器

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型号列表

46,309 条型号记录
每页 20 条

40060477

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

SST26WF016BAT-104I/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是,采用 SOIC-8 封装。

AS29CF800B-55TIN

Alliance Memory · 封装:TSOP-48

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 M x 8/512 k x 16,采用 TSOP-48 封装。

S29GL128S90FAI023

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S25FL256SAGMFVG03

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-Narrow-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-Narrow-16 封装。

S25FS256SDSMFI003

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

S25FL256SDPMFIG03

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-Narrow-16

主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-Narrow-16 封装。

S29JL064J70TFA003

Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 M x 8, 4 M x 16,采用 TSOP-48 封装。

S25FL256LAGMFA003

Cypress Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。

S70FL01GSDSBHMC10

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

AS29CF040-55CCIN

Alliance Memory · 封装:PLCC-32

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 k x 8,采用 PLCC-32 封装。

8945135724

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL01GT10FHI030

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

MT25QL01GBBB1EW9-0SIT

Micron · 封装:WDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WDFN-8 封装。

S25FL064LABNFM040

Cypress Semiconductor · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 USON-8 封装。

MT25QL128ABB1ESE-0AUT

Micron · 封装:SOP2-8

主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous、存储组织结构 16 M x 8,采用 SOP2-8 封装。

S25FS128SAGNFI003

Cypress Semiconductor

主要参数包括湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。

MT28EW256ABA1HJS-0SIT

Micron · 封装:TSOP-56

主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 32 M x 8, 16 M x 16,采用 TSOP-56 封装。

MT25QL128ABB8ESF-0AUT

Micron

主要参数包括存储容量 128 Mbit、接口类型 Serial、湿敏性 是。

MT25QL256ABA1EW9-0AAT

Micron · 封装:WDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WDFN-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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