SST25VF040B-50-4I-S2AE
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIJ-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST39VF200A-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S29GL128P90FFCR10
Cypress / Spansion · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。SST39SF020A-55-4I-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。S29GL064N90FFI040
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。S29GL064N11FFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。S25FL128SAGMFVR01
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S29GL128S11DHIV20
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。SST39LF802C-55-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。AT25SF041-SSHD-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。AT25DF641A-SH-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25X05CLSNIG
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 k x 8，采用 SOIC-8 封装。W25Q80DVSSIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL512SAGBHIC10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。AT25SF081-MAHD-T
Adesto Technologies
NOR Flash 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 2.5V, T&RAS29CF010-55CCIN
Alliance Memory · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AS29CF160T-55TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 2 M x 8/1 M x 16，采用 TSOP-48 封装。AS29CF160B-55TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 2 M x 8/1 M x 16，采用 TSOP-48 封装。S99-50229
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。AS29CF800T-55TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 M x 8/512 k x 16，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。