IS37SMW04G8B-JHLI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录TH58BVG2S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TH58NVG2S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-63 封装。TH58NVG2S3HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG3S0HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG3S0HTAI0
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。GD5F4GM8UEB2GY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。S34ML01G200TFI9C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S25FL256SDSMFV013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。S25FL064LABMFB013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。AT25DL081-SSHN-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FS256SAGBHI200
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S29GL128S90DHI020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S25FL512SAGBHI310
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S29GL256P10TFI013
Cypress / Spansion · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29WS256P0PBFW000
Cypress / Spansion · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 FBGA-84 封装。S25FL256SAGMFIR01
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。S25FL256SAGMFI000
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。MT25QU256ABA8E12-1SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。S29AL008J70BFI013
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。