S34ML04G300BHV103
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34MS04G200BHI903
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,4Gb,3x,1.8V,x8,4bit,VBM63,S35ML01G300WFI010
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。IS37SMW04G8B-JHLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。IS37SMW04G8B-JJLI
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 WSON-8 封装。IS38SMW01G8B-JHLA2
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。IS38SMW01G8B-JHLA2-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。IS38SMW01G8B-JJLA2
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16，采用 WSON-8 封装。IS38SMW04G8B-JJLA2
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 WSON-8 封装。IS38SMW04G8B-JJLA2-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 WSON-8 封装。GD5F4GM8REYJGR
GigaDevice
NAND FlashGD5F4GM8REYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。IS37SMW02G8B-JJLI-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 WSON-8 封装。IS37SML02G8B-JJLI-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。IS37SMW01G8B-JHLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。IS37SMW01G8B-JJLI
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16，采用 WSON-8 封装。IS37SMW01G8B-JJLI-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16，采用 WSON-8 封装。IS37SMW02G8B-JHLI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。IS37SMW02G8B-JHLI-TR
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16。IS37SMW02G8B-JJLI
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。