MX30LF4G28AC-XKI-T
Macronix · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MX30LF4G28AC-XKI-TR
Macronix · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous，采用 VFBGA-63 封装。MX35LF1GE4ABZ4IG-T
Macronix · 封装：WSON-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 MX35LF1GE4ABZ4IG，采用 WSON-8 封装。MX35UF4GE4AD-Z4I-TR
Macronix · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。MX35UF4GE4AD-Z4I-T
Macronix · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。S34ML01G200TFV0C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G300TFV000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFV0C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFV500
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFI500
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFI503
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFI5C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFI5C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFV003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G300TFI500
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML04G300BHI103
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML04G300BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML04G300BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML04G300BHV100
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。