S34MS04G200TFV000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录S34MS08G201BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS08G201BHV020
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S35ML01G300WFI013
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 LGA-8 封装。S35ML04G300WFI000
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、电源电流（最大值） 35 mA，采用 LGA-8 封装。S35ML04G300WFI003
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML04G300WHI000
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML04G300WHI003
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML04G300WHV000
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。W29N04KZSIBG
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 TSOP-48 封装。TH58BVG2S3HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。TH58BYG2S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TH58BVG3S0HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。TH58BVG3S0HTAI0
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG2S3HTAI0
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG4S0HTA20
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 2 G x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABADAWP-ITX:D
Micron · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous，采用 TSOP-I-48 封装。W25N02KVZEIR TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。TC58NYG2S0HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。TH58BYG3S0HBAI6
Kioxia America · 封装：FBGA-67
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-67 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。