S34ML04G300TFA000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML04G300TFA003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML04G300TFA100
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML04G300TFA103
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML04G300TFI100
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS04G200BHI900
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,4Gb,3x,1.8V,x8,4bit,VBM63,S34ML04G300TFI103
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFV000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFV003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFV100
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFA200
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFA203
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS04G100TFI900
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,4Gb,4x,1.8V,x8,1bit,TS48,S34MS04G104BHV010
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34MS08G201BHV023
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS04G200BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS04G200TFA000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS04G200TFA003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS04G200TFB000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS04G200TFB003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。