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GigaDevice
NAND Flash按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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NAND FlashGigaDevice
NAND FlashGigaDevice · 封装:TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 TSOP-I-48 封装。GigaDevice · 封装:FBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 FBGA-48 封装。GigaDevice · 封装:FBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 FBGA-63 封装。GigaDevice
NAND FlashGigaDevice
NAND FlashGigaDevice · 封装:TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 TSOP-I-48 封装。GigaDevice
NAND FlashGigaDevice · 封装:TSOP-48
采用 TSOP-48 封装。GigaDevice · 封装:FBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-63 封装。GigaDevice · 封装:TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 TSOP-I-48 封装。GigaDevice · 封装:FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-63 封装。GigaDevice
NAND FlashMacronix · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。Macronix · 封装:WSON-8
主要参数包括存储容量 2 Gbit、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MX35UF2GE4AC-Z4J、单件重量 0.004938 oz,采用 WSON-8 封装。Macronix · 封装:WSON-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 MX35LF1GE4ABZ4IG,采用 WSON-8 封装。Macronix · 封装:WSON-8
主要参数包括存储容量 2 Gbit、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MX35UF2GE4AC-Z4J、单件重量 0.004938 oz,采用 WSON-8 封装。Macronix · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、存储组织结构 512 M x 4,采用 WSON-8 封装。Macronix · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、存储组织结构 512 M x 4,采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。