S34MS08G201BHI023
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,8Gb,3x,1.8V,x8,4bit,VLD63,存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S35ML01G300WHI010
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML01G300WHI013
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML01G300WHV010
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML01G300WHV013
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML02G300WFI000
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、电源电流（最大值） 35 mA，采用 LGA-8 封装。S35ML02G300WFI003
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、电源电流（最大值） 35 mA，采用 LGA-8 封装。S35ML02G300WHI000
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML02G300WHI003
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML02G300WHV000
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML02G300WHV003
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。S35ML04G300WHV003
SkyHigh Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。GD5F1GM7REWIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。GD5F1GM7REBIGY
GigaDevice
NAND FlashGD5F1GM7REBJGY
GigaDevice
NAND FlashGD5F1GM7REWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GM7REWJGR
GigaDevice
NAND FlashGD5F2GM7UEYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。GD5F2GM7REWJGR
GigaDevice
NAND FlashGD5F2GM7REY2GR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。