S34MS01G104BHV013
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、数据总线宽度 16 位。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34MS01G200BHI900
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,3x,1.8V,x8,4bit,VBM63,S34MS01G200BHI903
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,3x,1.8V,x8,4bit,VBM63,S34MS01G200BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS01G200GHV000
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,3x,1.8V,x8,4bit,VBM63,S34MS01G200TFV003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS02G100BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS02G100BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS02G104BHV013
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34MS02G200BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS02G200BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS02G200TFV000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS02G200TFV003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS02G204BHI010
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34MS04G100BHI003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS04G100BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34MS04G200TFV003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS04G204BHI010
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34MS04G204BHI013
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34MS08G201BHI020
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。