S34ML08G301BHI003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。存储器
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46,309 条型号记录S34ML08G301BHI100
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML08G301BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML08G301BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML08G301BHV100
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML08G301TFA000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFA003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFB000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFB003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFI000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML08G301TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFB200
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFB203
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFI200
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFI203
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFV200
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML16G302TFV203
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。S34MS01G100BHI900
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,4x,1.8V,x8,1bit,VBM63,S34MS01G104BHI910
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,4x,1.8V,x16,1bit,VBM63,S34MS01G104BHV010
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,4x,1.8V,x16,1bit,VBM63,型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。