S34ML01G300TFI013
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML01G300TFV010
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G300TFV013
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G100BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML02G100TFI0C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G100TFI0C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G100TFI9C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G100TFI9C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G100TFV0C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G100TFV0C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G104BHI010
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,2Gb,4x,3V,x16,1bit,VBM63,S34ML02G200BHI503
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML02G200TFI0C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFI0C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFV0C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G200TFV0C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML02G300BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML02G300BHI003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML02G300BHI500
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML02G300BHI503
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。