S34ML01G100BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位、电源电流（最大值） 30 mA，采用 BGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML01G100TFI503
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,4x,3V,x8,1bit,TS48,S34ML01G100TFV003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位、电源电流（最大值） 30 mA，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200BHB000P
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G200BHI503
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G200BHI903
SkyHigh Memory
NAND Flash SLC,1Gb,3x,3V,x8,4bit,VBM63,S34ML01G200BHV003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G200TFI000A
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFI0C0
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFI0C3
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFI500
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFI503
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G200TFV503
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。S34ML01G204BHA010
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34ML01G204BHA013
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16，采用 BGA-63 封装。S34ML01G300BHI010
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G300BHI013
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G300BHV010
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G300BHV013
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 BGA-63 封装。S34ML01G300TFI010
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。