MT53E1G32D4NQ-046 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT40A1G16RC-062E:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT41K512M16HA-125 :A TR
Alliance Memory · 封装：FBGA
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA 封装。MT44K32M36RB-107E:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT53E768M32D4DT-053 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT49H16M36SJ-18 IT:B
Micron
主要参数包括商品名称 RLDRAM。MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT40A1G16RC-062E IT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT41K512M16VRN-107 AAT:P
Micron
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位。MT40A512M16LY-062E AAT:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT49H16M36SJ-18:B
Micron
主要参数包括商品名称 RLDRAM。MT53E768M32D4DT-053 AIT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。MT43A4G40200NFA-S15:A
Micron · 封装：BGA-896
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 HMC DRAM、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 4 G x 4，采用 BGA-896 封装。MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。W632GU6MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG8MB-11
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W632GG8MB-15
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。