GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD9FS4G8F4DLGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FU2G8F3AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU2G8F3ALGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FU2G8F3ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FU2G8F2BMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-48
采用 TSOP-48 封装。GD9FU2G8F2AMGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FU2G8F2AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU2G8F2ALGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FU2G8F2ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FU2G6F3ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FU2G6F2AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU1G8F3AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU1G8F3ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FU1G8F2DMGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FU1G8F2DMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU1G8F2DLGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FU1G8F2DLGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 FBGA-63 封装。GD9FU1G8F2DDGI
GigaDevice · 封装：FBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 FBGA-48 封装。GD9FU1G8F2AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。