GD9AS4G8F3AMGJ
GigaDevice
NAND Flash存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD9AU4G8F3ALGJ
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NAND FlashGD9AU4G8F3AMGI
GigaDevice
NAND FlashGD9AU4G8F3AMGJ
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NAND FlashGD9AU8G8E3AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-48
采用 TSOP-48 封装。GD9FS1G8F2ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FS1G8F2DMGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FS1G8F3ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FS1G8F3AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FS2G6F2AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FS2G8F2ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FS2G8F3ALGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FS2G8F3AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FS2G8F3AMGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9FS4G8F2ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FS4G8F2ALGJ
GigaDevice · 封装：FBGA-63
采用 FBGA-63 封装。GD9FS4G8F3AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
采用 TSOP-I-48 封装。GD9FS4G8F3AMGJ
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NAND FlashGD9FS4G8F4BLGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
采用 FBGA-63 封装。GD9FS4G8F4BMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-48
采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。