GD5F4GQ6RE9IGY
GigaDevice · 封装：LGA-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 LGA-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录GD5F4GQ6RE9IHR
GigaDevice · 封装：LGA-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 LGA-8 封装。GD5F4GQ6RE9IHY
GigaDevice · 封装：LGA-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 LGA-8 封装。GD5F4GQ6REY2GR
GigaDevice
NAND FlashGD5F4GQ6REY2GY
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。GD5F4GQ6REYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、电源电流（最大值） 30 mA，采用 WSON-8 封装。GD5F4GQ6REYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、电源电流（最大值） 30 mA，采用 WSON-8 封装。GD5F4GQ6REYJGR
GigaDevice
NAND FlashGD5F4GQ6REYJGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD5F4GQ6UE9IGR
GigaDevice · 封装：LGA-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 LGA-8 封装。GD5F4GQ6UE9IGY
GigaDevice · 封装：LGA-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 LGA-8 封装。GD5F4GQ6UEYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、电源电流（最大值） 30 mA，采用 WSON-8 封装。GD5F4GQ6UEYJGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。GD9AS2G8F3ALGI
GigaDevice
NAND FlashGD9AS2G8F3ALGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9AS2G8F3AMGI
GigaDevice
NAND FlashGD9AS2G8F3AMGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9AS4G8F3ALGI
GigaDevice
NAND FlashGD9AS4G8F3ALGJ
GigaDevice
NAND FlashGD9AS4G8F3AMGI
GigaDevice
NAND Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。